| 摘要 |
<p>PROCEDIMIENTO PARA LA REALIZACION DE UN DISPOSITIVO TRANSISTOR MOS. COMPRENDE LAS ETAPAS DE FORMAR UN SURCO EN UNA SUPERFICIE DE SUSTRATO SEMICONDUCTOR, TENIENDO EL SURCO UN PAR DE PAREDES LATERALES OPUESTAS, UN PAR DE PAREDES EXTREMAS OPUESTAS Y UN FONDO; DE FORMAR UNA ESTRUCTURA DE PUERTA, EN EL SURCO, QUE SE EXTIENDE DESCENDIENDO DE UNA FORMA CONTINUA A LO LARGO DE UNA PARED LATERAL, A LO LARGO DEL FONDO Y ASCENDIENDO A LO LARGO DE LA OTRA PARED LATERAL, COMPRENDIENDO LA ESTRUCTURA DE LA PUERTA UNA CAPA DIELECTRICA Y UNA CAPA DE ELECTRODO SUPERPUESTA A LA CAPA DIELECTRICA; DE FORMAR UNA PRIMERA REGION DE IMPUREZA EN LAS REGIONES SUPERFICIALES DEL SURCO NO CUBIERTAS POR EL ELECTRODO PUERTA, PARA CREAR UN CONTACTO DE LA FUENTE CON LA REGION DE IMPUREZA, EN UN LADO DEL ELECTRODO PUERTA; Y DE FORMAR UN CONTACTO DEL DRENADOR CON LA REGION DE IMPUREZA EN EL OTRO LADO DEL ELECTRODO PUERTA.</p> |
