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<P>LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF DE DETECTION DU FONCTIONNEMENT DE LA LECTURE POUR CIRCUIT INTEGRE DU TYPE CIRCUIT LOGIQUE COMPORTANT UNE MEMOIRE NON VOLATILE CONTENANT DES DONNEES.</P><P>DANS LE CAS OU LA MEMOIRE EST CONSTITUEE PAR UNE MATRICE DE CELLULES-MEMOIRE DU TYPE A TRANSISTORS MOS PRESENTANT SUIVANT LEUR PROGRAMMATION A "0" OU A "1", DES TENSIONS DE SEUIL V ET V DEFINIES, LESDITES CELLULES-MEMOIRE ETANT LUES EN APPLIQUANT UNE TENSION DE LECTURE VL TELLE QUE, EN FONCTIONNEMENT NORMAL, VVLV, LE DISPOSITIF EST CONSTITUE PAR UN INVERSEUR COMPORTANT UN TRANSISTOR SIGNAL 10 DU TYPE MOS ENRICHI PRESENTANT UNE TENSION DE SEUIL V TELLE QUE VVV DONT LA GRILLE 14 EST CONNECTEE A LA TENSION DE LECTURE ET UNE CHARGE 11 CONNECTEE A LA TENSION DE LECTURE, L'INVERSEUR DELIVRANT UN SIGNAL LOGIQUE S QUI SERT A SIGNALER AU CIRCUIT QUE LA TENSION DE LECTURE APPLIQUEE EST SUPERIEURE A LA TENSION DE SEUIL V.</P>
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