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发明名称 CIRCUIT FOR MEASUREMENT OF VOLTAGE-CURRENT CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH HIGH CAPACITY OF DIODE JUNCTION
摘要
申请公布号 PL142937(B1) 申请公布日期 1987.12.31
申请号 PL19840250261 申请日期 1984.10.31
申请人 发明人
分类号 G01R;G01R31/26;(IPC1-7):G01R31/26 主分类号 G01R
代理机构 代理人
主权项
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