| 发明名称 |
DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES MEMOIRES A SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>UN DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS COMPREND UN ENSEMBLE DE CIRCUITS DE COMMANDE DE MODE DE FONCTIONNEMENT PERMETTANT DE METTRE EN OEUVRE RESPECTIVEMENT UN ENSEMBLE CORRESPONDANT DE MODES DE FONCTIONNEMENT D'ECRITURELECTURE, ET UN ENSEMBLE DE CIRCUITS DE SELECTION DE MODE DE FONCTIONNEMENT 41 FORMES SUR LA PUCE DE MEMOIRE. CHAQUE CIRCUIT DE SELECTION DE MODE DE FONCTIONNEMENT COMPORTE UN ELEMENT FUSIBLE 18 QUI PERMET DE SELECTIONNER L'UN QUELCONQUE DES CIRCUITS DE COMMANDE DE MODE DE FONCTIONNEMENT PAR LA COUPURE DE L'ELEMENT FUSIBLE, DE FACON A POUVOIR ACCOMPLIR SELECTIVEMENT DIVERSES FONCTIONS AVEC LA MEME PUCE.</P><P>APPLICATIONS AUX MEMOIRES VIVES DYNAMIQUES.</P>
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| 申请公布号 |
FR2600453(A1) |
申请公布日期 |
1987.12.24 |
| 申请号 |
FR19870008731 |
申请日期 |
1987.06.22 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI KK |
发明人 |
KAZUTOSHI HIRAYAMA, HIDEYUKI OZAKI, KAZUYASU FUJISHIMA ET HIDETO HIDAKA;OZAKI HIDEYUKI;FUJISHIMA KAZUYASU;HIDAKA HIDETO |
| 分类号 |
G11C11/401;G11C7/10;G11C7/22;G11C11/4096;(IPC1-7):G11C7/00 |
主分类号 |
G11C11/401 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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