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Eine Antivalenz-Gatterschaltung in integrierter Schaltkreistechnik mit Feldeffekttransistoren bei der ein erster Signaleingang (1), dem ein erstes Eingangssignal (A) zuzuführen ist, unmittelbar mit dem Gate-Anschluß eines ersten Transfertransistors (11) und mittelbar, nämlich über einen ersten Inverter (17), mit dem Gate-Anschluß eines zweiten Transfertransistors (12) verbunden ist und ein zweiter Signaleingang (2), dem ein zweites Eingangssignal (B) zuzuführen ist, unmittelbar mit dem Source-Anschluß des zweiten Transfertransistors (12) und mittelbar, nämlich über einen zweiten Inverter (16), mit dem Source-Anschluß des ersten Transfertransistors (11) verbunden ist und bei der der Drain-Anschluß des ersten Transfertransistors (11) und der Drain-Anschluß des zweiten Transfertransistors (12) gemeinsam mit einem Signalausgang (3), über den ein Ausgangssignal (C) abzuführen ist, verbunden sind. Die Funktionen der beiden Inverter können fallweise durch solche ersetzt sein, die durch Inverter in der umgebenden Schaltung bereits gegeben sind.
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