| 发明名称 |
PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE DI UN DISPOSITIVO MONOLITICO A SEMICONDUTTORE COMPRENDENTE ALMENO UN TRANSISTOR DI UN CIRCUITO INTEGRATO DI COMANDO E UN TRANSISTOR DI POTENZA INTEGRATO NELLA STESSA PIASTRINA |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT8706630(D0) |
申请公布日期 |
1987.12.22 |
| 申请号 |
IT19870006630 |
申请日期 |
1987.12.22 |
| 申请人 |
S.G.S. MICROELETTRONICA S.P.A. ORA S.G.S.-THOMSON MICROELECTRONICS |
发明人 |
ZAMBRANO RAFFAELE;MUSUMECI SALVATORE |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L21/761;H01L21/8222;H01L27/06;H01L27/082;H01L29/732 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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