SELECTIVE DEPOSITION PROCESS.

摘要

Procédé de dépôt de films métalliques dans des régions spatialement sélectives sur un substrat semiconducteur (1). Le substrat est exposé à une énergie photonique cohérente qui est absorbée sélectivement par des régions (6) du substrat (1) présentant des configurations données ainsi que des caractéristiques d'absorption accentuées provoquant un échauffement localisé et une réaction pyrolytique avec des gaz environnants sélectionnés. Les gaz réactifs sont transparents à la radiation de l'éclairage. La correspondance entre la longueur d'ondes de l'énergie photonique cohérente et les caractéristiques d'absorption de photons des régions sélectionnées (6) en combinaison avec le fonctionnement impulsionnel d'un laser (19) produisant l'énergie photonique peuvent localiser ultérieurement la sélectivité spatiale. L'absorption du support optique libre a lieu de préférence dans des régions fortement dopées, ces régions étant aisément définies en utilisant des techniques connues de dopage à configurations. Les films ainsi déposés servent ensuite de sites de nucléation pour des formes plus conventionnelles de dépôt de vapeur chimique.