Method of producing highly integrated complementary MOS field-effect transistor circuits.

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von hochintegrierten komplementären MOS-Feldeffekttransistorschaltungen (CMOS-Schaltungen), bei dem durch Einbau einer weiteren epitaxialen Schicht (9) und hochimplantierter Bereiche (6, 28) in die untere, epitaxiale Schicht (2), aus denen die Wannen durch Ausdiffusion in die obere epitaxiale Schicht (9) erzeugt werden, die Latch-up-Festigkeit der n- und p-Kanal-CMOS-FETs bei gleichbleibenden guten Transistoreigenschaften erhöht wird. Dies ermöglicht neben dem Einstellen optimaler Transistoreigenschaften aufgrund der erniedrigten lateralen Diffusion einen geringeren n<+>/p<+>-Abstand und damit eine höhere Packungsdichte mit verbesserter Latch-up-Festigkeit.