| 发明名称 |
INTENSITY OF A LIGHT BEAM APPLIED TO A LAYERED SEMICONDUCTOR STRUCTURE CONTROLS THE BEAM. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0131042(A4) |
申请公布日期 |
1987.12.09 |
| 申请号 |
EP19840900582 |
申请日期 |
1983.12.29 |
| 申请人 |
WESTERN ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED |
发明人 |
CHEMLA, DANIEL, SIMON |
| 分类号 |
G02F1/015;G02F1/017;G02F1/19;G02F1/35;(IPC1-7):G02F1/015 |
主分类号 |
G02F1/015 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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