发明名称 Dynamic memory device
摘要 A dynamic memory device including 1-transistor, 1-capacitor type dynamic memory cell, wherein a half voltage of the writing voltage is applied to a cell plate, and a constant voltage is applied to the substrate.
申请公布号 US4712123(A) 申请公布日期 1987.12.08
申请号 US19850771023 申请日期 1985.08.30
申请人 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 发明人 MIYATAKE, HIDESHI;FUJISHIMA, KAZUYASU;YOSHIHARA, TSUTOMU;KUMANOYA, MASAKI;HIDAKA, HIDETO;DOSAKA, KATSUMI
分类号 G11C11/404;G11C11/4074;G11C11/413;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 G11C11/404
代理机构 代理人
主权项
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