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发明名称 LOW CAPACITANCE AMORPHOUS SILICON FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE
摘要
申请公布号 EP0210625(A3) 申请公布日期 1987.12.02
申请号 EP19860110373 申请日期 1986.07.28
申请人 GENERAL ELECTRIC COMPANY 发明人 POSSIN, GEORGE EDWARD
分类号 H01L29/78;G02F1/136;G02F1/1368;G09F9/35;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/417;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/78;H01L29/06 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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