| 摘要 |
Bei einem Halbleiterbauelement mit einem dotierten Halbleitersubstrat (1), in das von oben eine entgegengesetzt dotierte obere Dotierungszone (3) eingebracht ist, und einen P-N-Uebergang (2) bildet, der im Randbereich an die Oberfläche tritt, wird zur Verbesserung der Sperrspannungsfähigkeit unterhalb des Oberflächendurchtritts des P-N-Uebergangs (2) eine im Halbleitersubstrat (1) vergrabene, entgegengesetzt dotierte, untere Dotierungszone (15) angeordnet, welche die Ladungsträgerkonzentration im kritischen Bereich herabsetzt. Diese Struktur zeichnet sich durch eine Beibehaltung der planaren Oberfläche und eine leichte Herstellbarkeit aus.
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