| 发明名称 | 三氯氢硅(SiHCl3)的制备 | ||
| 摘要 | SiHCl<SUB>3</SUB>(三氯氢硅)是制备高纯多晶硅的主要原料。以往SiHCl<SUB>3</SUB>的合成是采用HCl气体通入到加热的硅粉中制备，用固定床反应时SiHCl<SUB>3</SUB>的产率只有60—70％。用沸腾床反应时可使SiHCl<SUB>3</SUB>的产率提高到80—90％，其余主要为SiCl<SUB>4</SUB>副产物。本发明是利用废物SiCl<SUB>4</SUB>作为原料，与HCl一起通入到加热的硅粉中，通过调节SiCl<SUB>4</SUB>通入量的大小，控制SiHCl<SUB>3</SUB>的收率，直至达到100％。 | ||
| 申请公布号 | CN87100535A | 申请公布日期 | 1987.11.25 |
| 申请号 | CN87100535 | 申请日期 | 1987.01.24 |
| 申请人 | 张崇玖 | 发明人 | 张崇玖 |
| 分类号 | C01B33/08 | 主分类号 | C01B33/08 |
| 代理机构 | 江苏省南通市专利服务部 | 代理人 | 左一平 |
| 主权项 | 1、三氯氢硅(SiHCl3)的合成方法，采用HCl气体通入到加热的硅粉中来制备，本发明的特征是：在通入HCl到加热硅粉的同时，增加通入SiCl4，由调节SiCl4的通入量来控制SiHCl3的收率。 | ||
| 地址 | 江苏省南通市易家桥新村20号楼305号 | ||