| 摘要 |
Das Hallelement besteht aus einem Substrat (6), einer Halbleiterschicht (5), einer Oberflächenschicht (22), einer Isolationsschicht (19), Kontaktdiffusionen (7 bis 12), Isolationsringe (16; 17, 17; 18), die alle aus P-oder N-Halbleitermaterial bestehen. Das Hallelement, das zwei Sensoranschlüsse (..., S2) besitzt, ist durch mindestens eine Schnittfläche in Anordnungen (2, 3) aufgeteilt, die abwechselnd kopfstehend verdreht oder nicht verdreht in der Halbleiterschicht (5) angeordnet sind. Zwischen mindestens zwei Punkte einer jeden oberen und unteren Fläche der Anordnungen (2, 3) und je einem Aequipotentialpunkt einer benachbarten Anordnung liegen elektrische Verbindungen (a2, b2, c2, d2), wobei die Punkte der äusseren Flächen der beiden äusseren Anordnungen (2, 3) jeweils mit einem Stromanschluss (C1, C2) des Hallelementes mittels Verbindungen (a1; b1; c1; d1, 20 bzw. a3; b3; c3; d3, 21) verbunden sind. Diese Verbindungen und die Kontaktdiffusionen (7 bis 12) bestehen aus N<+>-Material. Dieser Aufbau des Hallelementes gestattet die Realisation sehr grosser Hallelemente, die z.B. in Elektrizitätszählern verwendbar sind zum Messen eines von einem elektrischen Strom erzeugten Magnetfeldes ?. |
