PROTECTION OF IGFET INTEGRATED CIRCUITS FROM ELECTROSTATIC DISCHARGE.

摘要

Les circuits intégrés utilisés dans une technologie à porte isolée (p.ex. CMOS) ont été protégés contre une décharge électrostatique (ESD) par un transistor à effet de champ à porte métallique. Il a été établi qu'un transistor bipolaire ''parasite'' existe en parallèle avec le dispositif à porte métallique. De manière surprenante, on obtient une protection supérieure en supprimant la porte métallique, pour ne compter ainsi que sur la charge d'avalanche du dispositif bipolaire pour la protection de polarité opposée. On a considéré comme établi que l'effet de champ du dispositif de porte métallique limitait de manière indésirable le passage de courant dans la technique de l'art antérieur. La technique de l'invention peut être mise en oeuvre de manière avantageuse en utilisant une diode plutôt qu'un transistor comme élément protecteur.