| 发明名称 | 消除半导体层制造缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行填充。借助这种结构，即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。 | ||
| 申请公布号 | CN87102718A | 申请公布日期 | 1987.10.28 |
| 申请号 | CN87102718 | 申请日期 | 1987.04.08 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;铃木邦夫;金花美树雄;深田武;阿部雅芳;小林一平;薄田真人;柴田克彦;永山进;小柳薰 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L31/18 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 肖春京 |
| 主权项 | 1、用于固化处理半导体元件中多个缺陷的方法，其特征在于包括：-将多个电压调节器装置彼此串联连接的步骤；-将所述半导体元件与所述的各不相同的电压调节器装置并联连接的步骤；及-对所述的电压调节装置施加一电压的步骤。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||