| 摘要 |
Ce procédé de traitement chimique, notamment de traitement thermochimique ou de dépôt chimique sous plasma, sur des substrats disposés sur un ou plusieurs porte-substrats (15) est caractérisé par l'association simultanée d'un plasma à très basse pression, comprise entre 1,33 et 0,00133 Pa et d'un chauffage indépendant (3), le plasma étant obtenu par l'excitation d'un milieu gazeux réactif à l'aide d'un filament thermoémissif ou d'ondes hyperfréquences (21, 22), et maintenu à l'intérieur d'une enceinte (1) par un confinement magnétique (18), le chauffage indépendant (3) étant tel qu'il permette de porter une partie du contenu de l'enceinte à une température au plus égale à environ 550oC, la proportion des calories apportées par le seul plasma au chauffage des substrats étant négligeable. |
