| 摘要 |
Die Herstellung der aus Silizium bestehenden Flankenmaskierschichten (11a, 11b) (2. spacer) erfolgt nach der Strukturierung der Gate-Elektroden ( 7, 8) durch ganzflächige Abscheidung einer Siliziumschicht aus der Gasphase auf die vorher mit einer Oxidschicht (16, 17, 18) bedeckten Gates (7, 8) und Source/Drain-Diffusionsbereiche (13, 14) und Rückätzen der Siliziumschicht bis auf die an den Flanken der Gatestrukturen (7, 8) verbliebenen SiliziumÄtzresiduen (11a, 11b). Diese Siliziumspacer (11a, 11b) haben gegenüber den bekannten Oxidspacern den Vorteil, daß bei ihrer Erzeugung keine Dünnung des Feldoxids (3) und keine Schädigung des Siliziumsubstrates (1, 4, 5, 9) auftritt. Durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung ist die Möglichkeit gegeben, bei der Herstellung von CMOS-Schaltungen die Kanallängen und die Source/Drain-Diffusionsprofile der n- und p-Kanal-Transistoren unabhängig voneinander einzustellen, indem der Siliziumspacer (11a, 11b) nach der n<+>-Implantation (13) entfernt wird und so der spacer (11a, 11b) nur für die n-KanalTransistoren genutzt wird. Figur 5
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