| 摘要 |
Zur Erzielung eines engeren Zündstromstreubands ist zwischen Gate- und Emitterelektrode (2, 1) ein in den Halbleiterkörper integrierter, einstellbarer ohmscher Widerstand vorgesehen. Dieser wird durch die Basiszone (5), die Emitterzone (4) oder eine in die Basiszone eingebettete Zone entgegengesetzten Leitungstyps gebildet, die von der Gateelektrode und der Emitterelektrode unter lokaler Überbrückung des Basis-Emitter-pn-Übergangs (3) kontaktiert ist. Der Widerstand kann am fertigen Bauelement durch Entfernen von Teilen der Gateelektrode und/oder der Emitterelektrode vergrößert werden. |
