| 发明名称 |
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0180315(A3) |
申请公布日期 |
1987.10.14 |
| 申请号 |
EP19850306728 |
申请日期 |
1985.09.23 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
EMOTO, TAKAO C/O PATENT DIVISION;SHIOMI, TAKEO C/O PATENT DIVISION |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/06 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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