Process for producing layers containing silicon and oxide.

摘要

Die Schichten werden mittels chemischen Niederschlagens aus der Dampfphase bei vermindertem Druck hergestellt. Als Quelle für Silicium und Sauerstoff dient Tetraethylorthosilikat TEOS (2), welches in flüssiger Form in den Niederdruckbereich der Niederschlagsapparatur eingesaugt und dort verdampft wird, und gegebenenfalls Sauerstoff, welcher in den Niederdruckbereich eingeleitet wird. Die Reaktanden werden in die auf eine festgelegte Temperatur aufgeheizte Reaktionszone (10) geleitet und dort umgesetzt. Das Reaktionsprodukt wird auf den dort befindlichen Substraten (17) niedergeschlagen. Soll die niedergeschlagene Schicht noch andere Elemente enthalten, so werden flüssige Substanzen, die diese Elemente enthalten, mit dem flüssigen TEOS vor dem Einsaugen in einem auf die gewünschte Zusammensetzung der Schicht abgestimmten Verhältnis vermischt. Die niedergeschlagenen Schichten sind sowohl bezüglich der Schichtdicke als auch bezüglich der Zusammensetzung sehr homogen.