Die beim Abschalten von induktiven Lasten auftretenden Spannungsspitzen werden üblicherweise durch eine der Last parallele Freilaufdiode bedämpft. Die treibende Gegenspannung ist damit auf die Höhe ihrer Durchlaßspannung begrenzt. Bei einem MOSFET (T 1) mit sourceseitiger induktiver Last (L) wird die treibende Gegenspannung dadurch erhöht, daß zwischen Gateanschluß (G) und dem dem MOSFET (T 1) abgewandten Anschluß der Last die Reihenschaltung aus einem weiteren MOSFET (T 3) und einer Zenerdiode (Z) gelegt wird. Die treibende Gegenspannung am Sourceanschluß ist damit die Zenerspannung zuzüglich der sich einstellenden Gate-Source-Spannung des Leistungs-MOSFET.
