发明名称 |
DISPOSITIVO ELETTRONICO A SEMICONDUTTORE, IN PARTICOLARE UN TRANSISTORE AD EFFETTO DI CAMPO MOS SILICON GATE, PER ALTE TENSIONI DI ALIMENTAZIONI. |
摘要 |
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申请公布号 |
IT8722130(D0) |
申请公布日期 |
1987.10.02 |
申请号 |
IT19870022130 |
申请日期 |
1987.10.02 |
申请人 |
SGS MICROELETTRONICA S.P.A. CATANIA |
发明人 |
GIUSEPPE PAOLO CRISENZA;GABRIELLA FONTANA;PAOLO PICCO |
分类号 |
H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/8234 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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