发明名称 DISPOSITIVO ELETTRONICO A SEMICONDUTTORE, IN PARTICOLARE UN TRANSISTORE AD EFFETTO DI CAMPO MOS SILICON GATE, PER ALTE TENSIONI DI ALIMENTAZIONI.
摘要
申请公布号 IT8722130(D0) 申请公布日期 1987.10.02
申请号 IT19870022130 申请日期 1987.10.02
申请人 SGS MICROELETTRONICA S.P.A. CATANIA 发明人 GIUSEPPE PAOLO CRISENZA;GABRIELLA FONTANA;PAOLO PICCO
分类号 H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78 主分类号 H01L21/8234
代理机构 代理人
主权项
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