Process for producing structured epitaxial films on a substrate.

摘要

Verfahren zur Herstellung von strukturierten epitaxialen Schichten, bei denen einkristalline Schichtbereiche benachbart neben Schichtbereichen anderer Ordnung auf einem einkristallinen Substrat vorhanden sind, dessen Kristallgitter in örtlich begrenzten Oberflächenbereichen unter Ausbildung einer Gitterfehlordnung gestört ist, wobei die Schichten mittels HF-Kathodenzerstäubung (Sputterepitaxie) in einem Inertgasplasma unter Verwendung eines die am Schichtaufbau beteiligten Elemente in Form von Phasen mit nahezu gleicher Zerstäubungsrate enthaltenden Targets hergestellt werden.