| 发明名称 | 碳化硅(SiC)二极管温度传感器 | ||
| 摘要 | 一种新的碳化硅二极管温度传感器，具有PN结的单晶体电阻小、对传感器的非线性影响很小的特性。该碳化硅二极管温度传感器采用一种微晶玻璃包封PN结，实现包封温度较低，不损伤电极材料和电极欧姆接触性能，并提高了使用温度上限，可用于0～700℃测温。 | ||
| 申请公布号 | CN85109140A | 申请公布日期 | 1987.09.30 |
| 申请号 | CN85109140 | 申请日期 | 1985.12.12 |
| 申请人 | 湖北省襄樊市机电研究所;国家建材工业总局建筑材料科学研究院玻璃科学研究所 | 发明人 | 綦明刚;周嶅;邱莉;吴铁;张咏紫;邹小兴 |
| 分类号 | H01L35/00;G01K7/02 | 主分类号 | H01L35/00 |
| 代理机构 | 襄樊市专利事务所 | 代理人 | 孟景前;樊灵芬 |
| 主权项 | 1、一种碳化硅二极管温度传感器，包括一个碳化硅PN结、钨膜和金膜做复合膜电极，用两段金丝做引线，铂丝或镍丝做后引线，氧化铝瓷管做后引线绝缘固定子，其特征在于以P型碳化硅单晶做基底外延N型层时，同时使氮原子扩散到P型基底中去；或者以N型碳化硅单晶做基底时，外延的P型层厚度小于0.1毫米；整个PN结用一种微晶玻璃包封。 | ||
| 地址 | 湖北省襄樊市长征路158号 | ||