| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE L'ELEMENT LUI-MEME ET SA METHODE DE FABRICATION.</P><P>L'ELEMENT DE DIODE COMPREND UNE PREMIERE COUCHE 1 DE TYPE N EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE FORMANT UNE CATHODE ET UNE SECONDE COUCHE 2 EN MATERIAU DE TYPE P 2 FORMANT UNE ANODE, LA SECONDE COUCHE 2 RECOUVRANT LA PREMIERE COUCHE 1 ET ETANT TRANSPARENTE A L'ENERGIE OPTIQUE. LE FAIT D'UTILISER DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE PROCURE A L'ELEMENT DE DIODE PHOTOSENSIBLE DE L'INVENTION DES CARACTERISTIQUES DE PHOTOCONDUCTIBILITE ELEVEE, DE GAP OPTIQUE REGLABLE, ET DE STRUCTURE A FILM MINCE.</P><P>UN RESEAU DE DIODES PHOTOSENSIBLES FORME AVEC DES ELEMENTS DE L'INVENTION EST FACILE A FABRIQUER, ET DES CIRCUITS DIRECTS PEUVENT ADRESSER CHAQUE ELEMENT. UN TEL RESEAU SE CARACTERISE PAR UNE FAIBLE DIAPHONIE ENTRE ELEMENTS, UNE SENSIBILITE OPTIQUE MAXIMISEE ET UNE GRANDE PLAGE DYNAMIQUE.</P>
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