Process for manufacturing a passivation layer for the semiconductor technique, and use of this layer.

摘要

Eine Abdeckschicht (2) für die Halbleitertechnik mit einer Randkontur, die einen keilförmigen Querschnitt aufweist, wird durch überwiegend anisotropes Trockenätzen der Abdeckschicht (2) durch eine vor der Abdeckschicht (2) in einem endlichen Maskenabstand (A) angeordnete Maske (4) erzeugt. Die auf diese Weise geätzte Abdeckschicht (2) eignet sich bersonders gut als isolierende Unterlage für eine Feldpltte im Randbereich eines an die Oberfläche tretenden P-N-Uebergangs sowie als Implantationsmaske zur Erzeugung eines P-N-Uebergangs mit lateralem Dotierungsgradienten.