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<P>PROCEDE POUR FAIRE CROITRE DES TRICHITES DE CARBURE DE SILICIUM, EN PARTICULIER SOUS LA FORME B.</P><P>CE PROCEDE CONSISTE A CHAUFFER UN SYSTEME REACTIONNEL CONSTITUE D'UNE SOURCE DE SILICIUM, D'UNE SOURCE DE CARBONE ET D'UN CATALYSEUR EN ATMOSPHERE REDUCTRICE, EN UTILISANT UN PROGRAMME DE CHAUFFAGE SELON LEQUEL L'ATMOSPHERE DANS LA ZONE DE CROISSANCE EST D'ABORD CHAUFFEE A LA TEMPERATURE DE CROISSANCE OU AU-DELA, PUIS EST REFROIDIE A LA TEMPERATURE DE CROISSANCE OU AU-DESSOUS DE CELLE-CI POUR PROVOQUER LA NUCLEATION DE TRICHITES SUR LES SITES DU CATALYSEUR A UN MOMENT DESIRE, ET EST ENSUITE MAINTENUE A LA TEMPERATURE DE CROISSANCE.</P>
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