METHOD OF OHMIC CONTACT FORMATION FOR MEASURING OF EPITAXIAL AND IMPLANTED STRUCTURES,申请号CS19850007564-传众专利搜索

发明名称	METHOD OF OHMIC CONTACT FORMATION FOR MEASURING OF EPITAXIAL AND IMPLANTED STRUCTURES
摘要
申请公布号	CS252577(B1)	申请公布日期	1987.09.17
申请号	CS19850007564	申请日期	1985.10.22
申请人	STASTNY,VLADIMIR,CS;VESELY,MIROSLAV,CS;MLEJNKOVA,JIRINA,CS	发明人	STASTNY,VLADIMIR,CS;VESELY,MIROSLAV,CS;MLEJNKOVA,JIRINA,CS
分类号	G01R29/00;(IPC1-7):G01R29/00	主分类号	G01R29/00
代理机构		代理人
主权项
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