| 摘要 |
<p>MODIFICACIONES EN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO. CONSISTENTES EN UN CUERPO SEMICONDUCTOR (12) QUE INCLUYE UNA PLURALIDAD DE CELULAS FOTOVOLTAICAS (12A, 12B, 12C), HABIENDOSE PREVISTO BAJO LA CELULA (12A) UN SUSTRATO (14) TAL COMO UNA LAMINA DE ACERO INOXIDABLE ELECTRICAMENTE CONDUCTOR; INCLUYENDO CADA UNA DE LAS CELULAS (12A, 12B, 12C) UN CUERPO SEMICONDUCTOR QUE CONTIENE UNA ALEACION DE SILICIO Y CADA UNO DE LOS CUERPOS DE ALEACION INCLUYE UNA REGION O CAPA (16A, 16B, 16C), UNA REGION O CAPA INTRINSECA (18A, 18B, 18C), Y UNA REGION O CAPA (20A, 20B, 20C) SIENDO LA CELULA (12B) UNA CELULA INTERMEDIA A LA QUE PUEDEN AÑADIRSE CELULAS INTERMEDIAS ADICIONALES. TIENE APLICACIONES EN EL CAMPO DE LA ELECTRICIDAD.</p> |
