Non-volatile electronic memory.

摘要

Ein flüchtiger Halbleiterspeicherbaustein (RAM) wird mit einem permanenten Speicher auf Basis einer elektrisch polarisierbaren, vorzugsweise ferroelektrischen Schicht, innerhalb eines integrierten monolithischen Bausteins derart kombiniert, daß die im Halbleiterspeicher vorhandene Information aufgrund eines STORE-Befehls durch Polung ausgewählter Bereiche der elektrisch polarisierbaren Schicht permanent gespeichert wird. Ebenso kann die permanent gespeicherte Information aufgrund eines RECALL-Befehls wieder ausgelesen werden und an den Halbleiterspeicher zurückgegeben werden. Auf den Halbleiterspeicher ist bevorzugt eine ferroelektrisch polarisierbare Schicht 11 aufgebracht, die an ihrer Oberund Unterseite ebenso wie der Halbleiterspeicher mit Wort- bzw. Bitleitungen in Form von Streifenelektroden 9, 12 versehen ist. Dabei bildet das Streifenelektrodensystem 9 an der Unterseite der ferroelektrischen Schicht 11 gleichzeitig das der Oberfläche zugewandte Wort- bzw. Bitleitungssystem des Halbleiterspeichers. Auf diese Weise ist jeder Halbleiterspeicherzelle 7 eine nicht flüchtige ferroelektrische Speicherzelle 13 eindeutig zugeordnet.