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<p>Un procédé permet de fabriquer des structures semiconductrices à plusieurs couches, en particulier de minces cellules solaires en arséniure de gallium, sur des substrats réutilisables. On fabrique la structure en déposant sur un substrat une couche sélectivement éliminable, telle que de l'arséniure d'aluminium de gallium, puis en déposant la structure de base d'une cellule solaire sur la couche sélectivement éliminable. De préférence, la structure de base de la cellule solaire comprend une couche d'arséniure de gallium de type p sur la couche d'arséniure d'aluminium de gallium, une couche d'arséniure de gallium de type n sur l'arséniure de gallium de type p et une couverture en verre transparent sur la couche d'arséniure de gallium de type n. On sépare la structure de base de la cellule solaire du substrat en dissolvant sélectivement la couche d'arséniure d'aluminium de gallium et en déposant par épitaxie une nouvelle couche d'arseniure d'aluminium de gallium sur la face exposée de manière à former une cellule solaire mince et légère en arséniure de gallium. Si la couche d'arséniure de gallium de type p a une épaisseur égale ou inférieure à 0,5 microns environ, on peut omettre la nouvelle couche d'arséniure d'aluminium de gallium, et réutiliser le substrat séparé.</p> |
