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Structure diode du type NPIN ( ou PNIP) (10) et procédé épitaxial pour fabriquer une telle diode, selon lequel l'épaisseur et les niveaux de dopage des couches intermédiaires (16, 18) de la structure sont tels que ces couches sont sensiblement démunies de porteurs majoritaires, permettant ainsi à la structure de fonctionner avec une polarisation à courant continu de zéro volts. Cette structure peut être utilisée soit comme une diode de détection efficace soit comme une diode mélangeuse sensiblement exempte de produits de mélange d'harmoniques d'ordre impair. Les deux dispositifs peuvent être fabriqués en appliquant un procédé de déposition épitaxiale à faisceau moléculaire unique avec l'avantage de pouvoir contrôler de manière précise l'épaisseur de la couche épitaxiale et la concentration d'impuretés. |
