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Die erfindungsgemäße dreidimensionale 1-Transistorzellenanordnung, bei der der Kondensator für die zu speichernden Ladungen als Plattenkondensator unterhalb des Feldeffekttransistors angeordnet ist, ist auf einem Substrat (1) aufgebaut, welches zumindest in den an den Speicherkondensator (3, 4) angrenzenden Bereich aus Metall besteht oder in diesem Bereich metallisch leitende Eigenschaften aufweist, so daß das Substrat (1) selbst auch als Speicherplatte dient. Zwischen Speicherkondensator (1, 3, 4) und Feldeffekttransistoren (8,9, 10, 11, 12) befindet sich eine Zwischenisolatorschicht (5), die durch elektrisch leitende Bereiche (7) unterbrochen ist. Die Anordnung kann sowohl als Grabenzelle (Figur 9, Figur 15), als auch mit planarem Aufbau (Figur 14) dimensioniert sein. Durch die Erfindung können Zellkonzepte für dynamische Halbleiterspeicher mit einer Kapazität von 64 M und darüber mit geringer Fehlerwahrscheinlichkeit und geringem Soft-Error durch ionisierende Strahlung in einfachen, technisch beherrschbaren Verfahrensschritten realisiert werden.
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