| 摘要 |
<p>Le procédé ci-décrit comprend une étape (S2) de formation, par électrolyse, d'une feuille de cuivre d'au moins plusieurs microns sur un matériau de base conducteur plan, une étape (S3) permettant de rendre rugueuse la surface de la feuille de cuivre, une étape (S4) de stratification de la feuille de cuivre avec le matériau de base conducteur sur un matériau de base isolant, suivie d'une intégration hermétique de l'ensemble par application de pression et de chaleur, et une étape (S5) dans laquelle on détache uniquement le matériau conducteur de base. Un film de métal de très haute pureté peut exister entre le matériau de base conducteur et la feuille de cuivre. Lorsque le film de métal extrêmement pur présente une épaisseur de 0,1 à 3 microns, seul le matériau conducteur est détaché, ledit film de métal étant solidement collé à la surface de la feuille de cuivre, et, lorsque ce film présente un eépaiseur de 70 à 250 microns, il est détaché de concert avec le matériau de base conducteur après la stratification. La feuille de cuivre formée par placage à haute vitesse avec une vitesse de contact avec le liquide comprise entre 2,6 et 20,0 m/s et une densité de courant comprise entre 0,15 et 4,0 A/cm2, possède une souplesse identique à celle du cuivre laminé et recuit. On peut ainsi produire, dans un court délai et avec des équipements de faibles dimensions, des stratifiés plaqués de cuivre extrémement fins pourvus d'une feuille de cuivre d'épaiseur égale ou inférieure à 10 microns et appropriés pour les cartes de circuit souples.</p> |
