METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ISOLATION REGIONS BETWEEN ELEMENTS,申请号EP19830307977-传众专利搜索

发明名称	METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ISOLATION REGIONS BETWEEN ELEMENTS
摘要
申请公布号	EP0116789(B1)	申请公布日期	1987.08.19
申请号	EP19830307977	申请日期	1983.12.23
申请人	FUJITSU LIMITED	发明人	GOTO, HIROSHI
分类号	H01L21/76;H01L21/331;H01L21/762;H01L21/763;H01L29/73;(IPC1-7):H01L21/76	主分类号	H01L21/76
代理机构		代理人
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