首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 INTEGRATED MOS TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING IT
摘要
申请公布号 EP0190928(A3) 申请公布日期 1987.08.19
申请号 EP19860300780 申请日期 1986.02.05
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 OGURA, MITSUGI C/O PATENT DIVISION;ARIZUMI, SHOJI C/O PATENT DIVISION;HORIGUCHI, FUMIO C/O PATENT DIVISION;MASUOKA, FUJIO C/O PATENT DIVISION
分类号 H01L29/94;H01L21/336;H01L21/768;H01L27/112;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/08 主分类号 H01L29/94
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com