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发明名称 METHOD FOR ANNEALING OF ION- IMPLANTING DEFECTS IN METAL- DIELECTRIC- SEMI- CONDUCTOR STRUCTURES
摘要
申请公布号 BG41800(A1) 申请公布日期 1987.08.14
申请号 BG19860074697 申请日期 1986.04.28
申请人 KASCHIEVA,SONJA B.;DZHAKOV,ASEN E. 发明人 KASCHIEVA,SONJA B.;DZHAKOV,ASEN E.
分类号 H01L21/265;H01L21/423;(IPC1-7):H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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