发明名称 METHOD OF OHMIC CONTACTS FORMATION ON GALLIUM ARSENIDE PLATES
摘要
申请公布号 CS252187(B1) 申请公布日期 1987.08.13
申请号 CS19840010091 申请日期 1984.12.20
申请人 ROTHBAUER,MILOS,CS 发明人 ROTHBAUER,MILOS,CS
分类号 (IPC1-7):H01L21/90 主分类号 (IPC1-7):H01L21/90
代理机构 代理人
主权项
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