| 摘要 |
<p>Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass bei einem Druck von 10<-><8> bis 10<-><4> mBar eine reaktive Schicht aus beispielsweise CuO oder Titan mit einer Schichtdicke von mindestens 100 nm und darauf, im gleichen Arbeitsgang, eine zweite Schicht aus Kupfer, Silber, Gold oder Nickel mit einer Schichtdicke von mindestens 100 nm aufgedampft wird und die zweite Schicht chemisch oder elektrochemisch verstärkt wird, bis eine Schichtdicke von 0,004 bis 0,020 mm erreicht wird und anschliessend der eigentliche Verbindungsschritt in einem Ofen mit Schutzgasatmosphäre durchgeführt wird. Dabei wird eine Temperatur gewählt, die zwischen der eutektischen Temperatur des Materials der ersten Schicht und dem Metal der zweiten Schicht einerseits und der Schmelztemperatur des Metalls der zweiten Schicht andererseits liegt, woraufhin nach einer Haltezeit von ungefähr 1 Minute schonend abgekühlt wird. Damit kann eine vollständig blasenfreie, sehr gut auf Substratoberflächen verschiedener Rauhigkeiten haftende, lötfähige Schicht erzielt werden.</p> |
