| 摘要 |
METODO PARA FABRICAR UNA ALEACION SEMICONDUCTORA. CONSISTE EN ESTABLECER UNA DESCARGA INCANDESCENTE EN UNA MEZCLA GASEOSA QUE CONTIENE UN COMPUESTO CON CONTENIDO DE SILICIO Y UN COMPUESTO CON CONTENIDO DE GERMANIO, QUE SE DESCOMPONEN A REGIMENES SUSTANCIALMENTE SIMILARES, INCLUYENDO LA MEZCLA GASEOSA DISILANO Y GERMANO Y UNA FUENTE GASEOSA DE ATOMOS DE FLUOR, TENIENDO LA MEZCLA LAS SIGUIENTES PROPORCIONES EN VOLUMEN: DE 0,3 A 3 PARTES DE DISILANO, DE 0,3 A 3 PARTES DE GERMANO, Y DE 0 A 3 PARTES DE TETRAFLUORURO SILICICO. TIENE UTILIDAD PARA FABRICAR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS TALES COMO PILAS FOTOVOLTAICAS. |
