发明名称 |
光电动势元件及其制备工艺和设备 |
摘要 |
一种改进的具有符合要求的光电转换层的光电动势元件,该光电转换层采用一种能够用来形成沉积膜的物质和一种电子氧化剂在没有等离子体的情况下制备。本发明还涉及了制备该元件的方法和装置。 |
申请公布号 |
CN86108412A |
申请公布日期 |
1987.07.29 |
申请号 |
CN86108412 |
申请日期 |
1986.12.11 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
广冈政昭;石原俊一;半那纯一;清水勇 |
分类号 |
H01L31/06;H01L31/10;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L31/06 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利代理部 |
代理人 |
李勇 |
主权项 |
1、一种改进的光电动势元件,包括用于光电动势元件的具有导电表面的基底、置于该基底的该导电表面上的光电转换层以及置于该光电转换层上的导电层,该光电转换层是用下述方法形成的,即使(i)能够作为上述要沉积的层的一个组分,但只要其保持在它原有的能态,就不能或几乎不能有助于形成上述层的一种气态物质,和(ii)一种具有用电子学方法使物质(i)氧化的性质的气态物质分别通过各自的气体传送空间进入一个膜形成空间,在该膜形成空间中放置上述基底,同时保持在预定的温度,使物质(i)和(ii)在没有等离子体的情况下在该基底表面上部的空间相互进行化学接触从而产生含有受激先质(precursors)的多种先质,并使这些先质的至少一种形成上述膜。 |
地址 |
日本东京都 |