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Une mémoire morte programmable à logique intégrée à injection (I2L) (26) fonctionne en mode lecture à des niveaux de puissance très faibles et à des tensions aussi basses que 1 volt. La commutation entre les modes est obtenue simplement en faisant changer la tension sur la borne B+; on utilise de 1 à 3 volts pour le mode lecture et de 9 à 12 volts pour le mode programmation. La mémoire comprend un circuit de commande de rangée (par exemple 40) servant à affaiblir le courant d'une rangée (par exemple 60) d'éléments mémoire lorsqu'il est actionné de manière sélective. Le circuit de commande de rangée présente deux capacités d'affaiblissement de courant, une capacité d'affaiblissement de courant faible pour le mode lecture et une capacité d'affaiblissement de courant élevé pour le mode programmation. La mémoire comprend également un circuit de sortie (par exemple 80) présentant un amplificateur différentiel à entrée double non inverseuse sélectionnable (424-440), chaque entrée non inverseuse étant connectée à une colonne différente (par exemple 340) des éléments mémoire. Afin de permettre la programmation des éléments mémoire, le circuit de sortie comprend deux sources de courant de programmation sélectionnable (402-410, 412-420) qui s'arrêtent automatiquement dès que l'élément mémoire qui est en train d'être programmé passe de l'état non programmé à l'état programmé. |
