<p>Die Erfindung betrifft einen modulationsdotierten Feldeffekttransistor (MODFET), der einen n-leitenden Kanal besitzt. Dieser wird durch eine Heterostruktur erzeugt aus einer modulationsdotierten Si1-xGex-Schicht sowie einer undotierten Si-Schicht.</p>
申请公布号
EP0228516(A2)
申请公布日期
1987.07.15
申请号
EP19860114171
申请日期
1986.10.14
申请人
LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-GMBH
发明人
DAMBKES, HEINRICH, DR.-ING.;HERZOG, HANS J., DIPL.-PHYS.;JORKE, HELMUT, DIPL.-PHYS.
