| 发明名称 | 高清晰阳极化的内层界面 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构在半导体岛区(54)和隔离内层(50)之间具有渡越厚度小于1500埃的高清晰度界面。为了生成这种结构，在复合外延层(54)和N<SUP>+</SUP>内层(50)上开槽(62)。内层(50)被在高压和低温条件下阳极化和氧化处理，以减少N<SUP>+</SUP>杂质的上扩散进入外延层(54)。 | ||
| 申请公布号 | CN86107669A | 申请公布日期 | 1987.07.15 |
| 申请号 | CN86107669 | 申请日期 | 1986.12.04 |
| 申请人 | 得克萨斯仪器公司 | 发明人 | 埃尔顿·杰·佐伦斯基;大卫·彼·斯布莱特 |
| 分类号 | H01L21/306;H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 上海专利事务所 | 代理人 | 曹磊 |
| 主权项 | 1、一种制造硅半导体结构的方法，包括下列各步骤；在基片上生成可进行选择的可阳极氧化的材料层；在上述可进行阳极氧化层上生成一外延层；阳极氧化处理可阳极氧化层以生成多孔材料；通过将该结构处在高压和低温氧化处理环境下进行氧化处理上述的多孔材料，使上述的多孔层在杂质扩散进入外延层之前氧化处理。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||