发明名称 |
PROCEDE POUR FORMER UN FILM DEPOSE. |
摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé pour former un film déposé sur un substrat. <BR/> Il consiste à introduire dans un espace réactionnel une matière gazeuse de départ convenant à la formation d'un film déposé et un oxydant gazeux contenant un halogène qui produit une action d'oxydation sur la matière de départ afin d'établir un contact chimique avec elle et de former ainsi un certain nombre de précurseurs dans un état oxydé qui sont ensuite utilisés comme source d'alimentation pour l'élément constitutif du film déposé sur le substrat. <BR/> Domaine d'application : fabrication de transistors à couches minces, de piles solaires, d'éléments photoconducteurs, d'éléments photovoltaïques, etc. <BR/> (CF DESSIN DANS BOPI)<BR/> <BR/></P>
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申请公布号 |
FR2592396(A1) |
申请公布日期 |
1987.07.03 |
申请号 |
FR19860018274 |
申请日期 |
1986.12.29 |
申请人 |
CANON KK |
发明人 |
EIJI TAKEUCHI, JUN-ICHI HANNA, ISAMU SHIMIZU, MASAAKI HIROOKA, AKIRA SAKAI ET MASAO UEKI;HANNA JUN-ICHI;SHIMIZU ISAMU;HIROOKA MASAAKI;SAKAI AKIRA;UEKI MASAO |
分类号 |
C23C16/452;H01L21/205;(IPC1-7):C23C16/44;C23C16/04;C23C16/22;C23C16/30 |
主分类号 |
C23C16/452 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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