| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Photoresists durch Beschichten eines Schichtträgers mit einer strahlungsempfindlichen Beschichtungslösung aus mindestens einem wasserunlöslichen, in wäßrig-alkalischen Lösungen löslichen Bindemittel und mindestens einer strahlungsempfindlichen Verbindung, wie o-Chinondiazid, in einem Lösungsmittel, das Propylenglykolalkyletheracetat enthält oder daraus besteht, Vortrocknen der Beschichtungslösung bei erhöhter Temperatur, bildmäßiges Belichten der gebildeten Schicht mit aktinischer Strahlung, Entwickeln durch Weglösen der belichteten Bereiche mit einem wäßrig-alkalischen Entwickler und Nacherwärmen zwecks Verfestigung der Bildschicht. Das Vortrocknen im Bereich von etwa 20 bis 110 °C wird so durchgeführt, daß die Schicht sich nicht mehr klebrig anfühlt, sie aber noch einen Restlösemittelanteil in einer Menge von etwa 1 bis 30 Gewichtsprozent, bezogen auf die nichtflüchtigen Bestandteile der Schicht, enthält. Der Photoresist weist eine erhöhte Lichtempfindlichkeit gegenüber bekannten Gemischen auf, besitzt eine hohe Bildauflösung und einen guten Entwicklungskontrast bei guter Hafteigenschaft.</p> |
