| 发明名称 |
DISPOSITIVO A SEMICONDUTTORE A STRATO EPITASSIALE SOTTILE COMPRENDENTE UN TRANSISTORE BIPOLARE PLANARE DI TIPO PNPVERTICALE CON STRATO SEPOLTO A DROGAGGIO DIFFERENZIATO. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT8721038(D0) |
申请公布日期 |
1987.06.25 |
| 申请号 |
IT19870021038 |
申请日期 |
1987.06.25 |
| 申请人 |
SGS MICROELETTRONICA S.P.A. |
发明人 |
FRANCO BERTOTTI;MARIO FORONI;PAOLO FERRARI |
| 分类号 |
H01L21/74;H01L21/331;H01L29/10;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/74 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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