PROCESS FOR FORMING CONTACTS AND INTERCONNECTS FOR INTEGRATED CIRCUITS.

摘要

Dans un procédé de formation d'interconnexions et de contacts ohmiques pour une structure de circuit intégré telle qu'une structure à MOSC, une mince couche de silicium intrinsèque polycristallin ou amorphe (22) est formée sur la structure en la configurant de manière à laisser des parties de la couche de polysilicium (22) aux emplacements de contacts et d'interconnexions. La structure est ensuite chauffée dans une atmosphère inerte pour provoquer la diffusion vers le haut du dopant à partir des régions dopées du substrat dans des régions (24A, 25A) du polysilicium en contact avec la surface du substrat. Une couche de tungstène (26, 27) est déposée sélectivement sur le polysilicium par un procédé CVD. Le tungstène (26, 27) sert à shunter les jonctions p-n dans le polysilicium et dans tout polysilicium non dopé. Dans une variante, une couche de tungstène (42, 43, 44) permet de relier une couche en polysilicium (32) et une région de substrat (38) et de shunter les jonctions p-n (37, 39) adjacentes à la surface.