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<P>Chambre de réacteur pour effectuer la croissance épitaxiale en phase vapeur de couches de matériaux semiconducteurs sur des substrats semiconducteurs, cette chambre étant principalement constituée d'un tube contenant un suscepteur pour le substrat, tube dans lequel circule d'une extrémité vers l'autre extrémité des composés gazeux sous une pression et une température appropriées à obtenir la croissance épitaxiale des couches monocristallines sur le substrat, caractérisée en ce qu'elle est équipée d'un dispositif de pilotage de la température de la paroi de la chambre opposée au suscepteur, cette paroi étant dite plafond de la chambre, pour provoquer des variations du profil de dépôt de la couche épitaxiale réalisée sur le substrat. <BR/> Application : réalisation de composants discrets en semiconducteurs III-V. <BR/> (CF DESSIN DANS BOPI)<BR/> <BR/></P>
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